[发明专利]基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构在审

专利信息
申请号: 202210392734.3 申请日: 2022-04-15
公开(公告)号: CN114743572A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 缪峰;梁世军;潘晨;王聪 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02;G11C5/10
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 沈丹
地址: 210023 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构,包括m*n个2D1R单元结构,组成m行n列的忆阻器阵列,将每个2D1R单元结构分别记为Uij;所述2D1R单元结构包括忆阻器R、二极管D1、二极管D2,二极管D1正极和二极管D2负极相连,忆阻器R负极和两个二极管的连接节点相连;所述忆阻器R的正极连接电压信号输入总线,二极管D1负极连接正电流信号输出总线,二极管D2正极连接负电流信号输出总线。本发明的技术方案能够实现高密度集成,低功耗操作,能够有效解决阵列中单元结构间电流串扰问题。
搜索关键词: 基于 d1r 单元 结构 忆阻器 阵列 集成
【主权项】:
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