[发明专利]基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构在审
| 申请号： | 202210392734.3 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114743572A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 缪峰;梁世军;潘晨;王聪 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 沈丹 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 d1r 单元 结构 忆阻器 阵列 集成 | ||
1.一种基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，其特征在于：包括m*n个2D1R单元结构，组成m行n列的忆阻器阵列，其中，m和n均为大于1的正整数，将每个2D1R单元结构分别记为Uij，其中，1≤i≤m，1≤j≤n，i，j是正整数；
所述2D1R单元结构包括忆阻器R、二极管D1、二极管D2，二极管D1正极和二极管D2负极相连，忆阻器R负极和两个二极管的连接节点相连；所述忆阻器R的正极连接电压信号输入总线，二极管D1负极连接正电流信号输出总线，二极管D2正极连接负电流信号输出总线。
2.根据权利要求1所述的基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，其特征在于：对于第i行n个2D1R单元结构，共用一条横向排列的电压信号输入总线，输入电压信号Vin-i到每个2D1R单元结构中忆阻器R的正极。
3.根据权利要求1所述的基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，其特征在于：对于第j列m个2D1R单元结构，共用一条纵向排布的正电流信号输出总线，接收由每个2D1R单元结构中二极管D1的负极输出电流信号，正电流信号输出总线输出总信号为Iout-p-j。
4.根据权利要求1所述的基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，其特征在于：对于第j列m个2D1R单元结构，共用一条纵向排布的负电流信号输出总线，接收由每个2D1R单元中二极管D2的正极输出电流信号，负电流信号输出总线输出总信号为Iout-n-j。
5.根据权利要求1至4任一项所述的基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，其特征在于：当对阵列中第i行、第j列2D1R单元Uij中忆阻器施以写入和擦除操作时，在第i行电压信号输入总线输入电压信号Vin-i，第j列正电流信号输出总线和负电流信号输出总线均接地操作，非第i行的其他电压信号输入总线开路，非第j列的正电流信号输出总线和负电流信号输出总线均开路操作。
6.根据权利要求1至4任一项所述的基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，其特征在于：所述二极管D1、二极管D2为无源器件。
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