[发明专利]层叠晶片的磨削方法在审
| 申请号： | 202210388206.0 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN115223847A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李宰荣 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供层叠晶片的磨削方法，更可靠地去除第1晶片的外周部的环状区域。层叠晶片的磨削方法具有如下工序：改质层形成工序，将具有透过第1晶片的波长的激光束沿着设定于比第1晶片的外周缘靠内侧的位置的环状的第1加工预定线照射至第1晶片，形成环状的第1改质层，并且沿着设定于从第1加工预定线至第1晶片的外周缘为止的环状区域的一条以上的第2加工预定线将激光束照射至第1晶片，形成将环状区域划分成两个以上的部分的第2改质层；修剪工序，使切削刀具切入至环状区域直至第1晶片的厚度方向的规定的深度位置为止，对环状区域进行切削；以及磨削工序，对第1晶片的第2面侧进行磨削而将第1晶片薄化至完工厚度，并且将环状区域去除。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 晶片 磨削 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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