[发明专利]表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料及制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210371515.7 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114758902A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 李明;王钊;敖玉辉;金琳;郭宗伟;刘新月 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/36;H01G11/40;H01G11/24 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料及制备方法和应用。涉及超级电容器技术领域，解决了电极材料比电容、电导率、循环寿命及能量密度低的问题。表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法：碳纤维布浸入含有多嵌段共聚物、硼酸和尿素的混合溶液中，进行化学浴反应，通过洗涤、干燥得到修饰后的碳纤维布；再放入管式炉中，以氮气为保护气升温至特定温度后持续煅烧，得到的B、N掺杂三维多孔碳；浸入含有钼酸铵和硫脲的混合溶液中进行热反应得到表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料。还提供了上述材料以及该材料作为电极材料的应用。本发明工艺简单、低成本，在超级电容器领域具有良好应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 原位 生长 硫化 纳米 掺杂 多孔 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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