[发明专利]表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料及制备方法和应用

权利要求书

1.一种表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将碳纤维布浸入含有多嵌段共聚物、硼酸和尿素的混合溶液中，进行化学浴反应，通过洗涤、干燥得到修饰后的碳纤维布；

步骤二：退火法制备B、N掺杂三维多孔碳；将修饰后的碳纤维布放入管式炉中，以氮气为保护气，升温至特定温度后持续煅烧；

步骤三：溶剂热法在B、N掺杂三维多孔碳表面原位生长硫化钼；将步骤二所得到的B、N掺杂三维多孔碳浸入含有钼酸铵和硫脲的混合溶液中进行热反应，得到表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料。

2.根据权利要求1所述的表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述混合溶液中多嵌段共聚物的浓度为30g/L-50g/L，所述硼酸的浓度为2g/L-4g/L，所述尿素的浓度为30g/L-50g/L。

3.根据权利要求1所述的表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述多嵌段共聚物为丙烯-乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-环氧乙烷嵌段共聚物、聚氧丙烯-聚氧乙烯共聚物或聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物。

4.根据权利要求1所述的表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述多嵌段共聚物为聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物。

5.根据权利要求1所述的表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述化学浴反应的温度为60℃-90℃，反应时间为8h-24h。

6.根据权利要求1所述的表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述升温的升温速率为2℃/min-5℃/min，所述特定温度为600℃-1000℃，所述煅烧的时间为3h-6h。

7.根据权利要求1所述的表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法，其特征在于，步骤三中所述混合溶液的溶剂为水、二甲基亚砜、甲醇、N，N二甲基甲酰胺或乙二醇。

8.根据权利要求7所述的表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法，其特征在于，步骤三中所述混合溶液中钼酸铵的浓度为1g/L-2.5g/L，所述硫脲的浓度为6g/L-10g/L，所述热反应温度为150℃-220℃，反应时间为6h-24h。

9.一种表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料，其特征在于，应用权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备而成。

10.一种权利要求9所述的表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料作为超级电容器的电极材料的应用。