[发明专利]三维存储器、制备方法及存储系统

摘要

本申请提供了三维存储器及其制备方法、存储系统。存储器包括：位于衬底一侧的叠层结构包括形成阶梯台阶的多个堆叠层，每个堆叠层包括绝缘层和栅极层。栅线间隙结构穿透叠层结构、并在平行于衬底且垂直于栅极层的延伸方向的第一方向延伸。顶部切口结构沿平行于衬底且垂直于第一方向的第二方向延伸、并与栅线间隙结构交叉；沿垂直于衬底的第三方向，至少穿透多个堆叠层中距离衬底最远的第一堆叠层，和/或延伸至覆盖在阶梯台阶上的台阶覆盖层。本申请提供的存储器通过设置与栅线间隙结构交叉的顶部切口结构，可增强三维架构中各存储块之间、各指存储区之间的连接和固定。基于该架构的存储器，在去除栅极牺牲层形成栅极的制程中具有更高的稳定性。