[发明专利]用于非易失性存储器的擦除方法和上电修复方法在审
| 申请号： | 202210366516.2 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN114758689A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 安友伟 | 申请（专利权）人： | 珠海博雅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于非易失性存储器的擦除方法及上电修复方法，非易失性存储器包括多个用于存储数据的区域，擦除方法包括：将选定区域对应的标志位标记为第一状态，标志位位于状态标志区；对选定区域进行擦除操作；将选定区域对应的标志位标记为第二状态。上电修复方法包括上述擦除方法，以及在非易失性存储器上电后读取标志位存储区；若标志位存储区包括处于第一状态的标志位，则判断标志位存储区的对应区域是否包括过擦除存储单元；若对应区域包括过擦除存储单元，则在过擦除存储单元所在字线施加第二电压；重复上述流程，直至遍历标志位存储区，从而减小或消除意外掉电对非易失性存储器的不良影响，提高非易失性存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 擦除 方法 修复 | ||
【主权项】：
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