[发明专利]用于非易失性存储器的擦除方法和上电修复方法

权利要求书

1.一种用于非易失性存储器的擦除方法，所述非易失性存储器包括多个用于存储数据的区域，所述擦除方法包括：

将选定区域对应的标志位标记为第一状态，所述标志位位于状态标志区；

对所述选定区域进行擦除操作；

将所述选定区域对应的所述标志位标记为第二状态。

2.根据权利要求1所述的擦除方法，其中，所述状态标志区包括与所述多个用于存储数据的区域对应的多个标志位存储区；

所述标志位存储区包括一个或多个标志位。

3.根据权利要求2所述的擦除方法，其中，每个所述标志位包括两个相邻的存储单元。

4.根据权利要求3所述的擦除方法，其中，

所述第一状态选自二进制的01；

所述第二状态选自二进制的00；以及，

所述标志位还包括初始状态，所述初始状态选自二进制的11。

5.根据权利要求2所述的擦除方法，其中，所述多个用于存储数据的区域以及所述状态标志区位于所述非易失性存储器的存储单元阵列中。

6.根据权利要求5所述的擦除方法，其中，字线包括的标志位存储区的数量，与所述存储单元阵列的擦除次数、字线包括的标志位数量相关。

7.根据权利要求6所述的擦除方法，其中，

x^2＝y*(m/n)，其中，

x为一条字线包括的所述标志位存储区的数量，y为一条字线包括的所述标志位的数量，m为所述选定区域需满足的擦除次数，n为所述标志位存储区需满足的擦除次数。

8.根据权利要求7所述的擦除方法，其中，所述选定区域需满足的擦除次数等于所述标志位存储区需满足的擦除次数。

9.根据权利要求2所述的擦除方法，在所述将选定区域对应的标志位标记为第一状态的步骤之前，还包括：

读取所述标志位存储区；

若所述标志位存储区包括处于第一状态的标志位，则判断所述标志位存储区的对应区域是否包括过擦除存储单元；

若所述对应区域包括所述过擦除存储单元，则对所述过擦除存储单元进行校验、修复；

完成所述对应区域中全部过擦除存储单元的校验、修复后，将所述处于第一状态的标志位标记为第二状态；以及，

重复进行上述流程，直至遍历读取所述状态标志区的所述标志位存储区。

10.根据权利要求9所述的擦除方法，其中，所述判断所述标志位存储区的对应区域是否包括过擦除存储单元包括：

在所述对应区域的选定字线上施加0V电压；

检测所述对应区域中各条位线的电流；

若存在大于预设电流的位线，则根据该位线与所述选定字线确定过擦除存储单元；以及，

重复上述流程，直至遍历检测所述对应区域的全部存储单元。

11.根据权利要求9所述的擦除方法，其中，所述对所述过擦除存储单元进行校验、修复包括：

对所述过擦除存储单元进行软编程，以使得所述过擦除存储单元的阈值电压大于第一电压；其中，

所述第一电压选自所述软编程阈值电压。

12.根据权利要求2所述的擦除方法，在所述将选定区域对应的标志位标记为第一状态的步骤之前，还包括：

若所述选定区域对应的所述标志位存储区中的所有标志位均处于第二状态，则对所述标志位存储区进行擦除，以使得所述所有标志位均处于初始状态。

13.根据权利要求1所述的擦除方法，其中，所述擦除操作包括：

擦除所述选定区域存储的数据；

对所述擦除所述选定区域存储的数据过程中产生的过擦除存储单元进行校验、修复。

14.一种用于非易失性存储器的上电修复方法，所述上电修复方法包括如权利要求1-13任一项所述的擦除方法，还包括：

在所述非易失性存储器上电后读取状态标志区的标志位存储区；

若所述标志位存储区包括处于第一状态的标志位，则判断所述标志位存储区的对应区域是否包括过擦除存储单元；

若所述对应区域包括过擦除存储单元，则在所述过擦除存储单元所在字线施加第二电压；

重复上述流程，直至遍历读取所述状态标志区的标志位存储区；其中，

所述第二电压小于0V。