[发明专利]用于非易失性存储器的擦除方法和上电修复方法

说明书

本发明公开了一种用于非易失性存储器的擦除方法及上电修复方法，非易失性存储器包括多个用于存储数据的区域，擦除方法包括：将选定区域对应的标志位标记为第一状态，标志位位于状态标志区；对选定区域进行擦除操作；将选定区域对应的标志位标记为第二状态。上电修复方法包括上述擦除方法，以及在非易失性存储器上电后读取标志位存储区；若标志位存储区包括处于第一状态的标志位，则判断标志位存储区的对应区域是否包括过擦除存储单元；若对应区域包括过擦除存储单元，则在过擦除存储单元所在字线施加第二电压；重复上述流程，直至遍历标志位存储区，从而减小或消除意外掉电对非易失性存储器的不良影响，提高非易失性存储器的可靠性。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种用于非易失性存储器的擦除方法和上电修复方法。

背景技术

在计算机系统中使用的存储器可以根据断电状态下的数据存储能力分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器仅在上电状态下存储数据，在断电状态下损失数据，例如，包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。非易失性存储器在上电状态下和断电状态下均可存储数据，例如包括传统上称为只读存储器(ROM)的多种存储器。只读存储器例如包括NAND闪存和NOR闪存。

在实际使用中，通常需要对非易失性存储器进行读、写和擦除三种操作。在擦除操作中，若出现意外掉电的情况，可能会导致擦除区域中的一个或多个存储单元过擦除，即在过擦除存储单元的控制端电压为0V时其第一端和第二端会产生较大漏电流，过擦除存储单元所在的位线漏电，进而导致该位线上其它存储单元在进行读写操作时出错，影响非易失性存储器整体的可靠性。

因此，期望一种非易失性存储器的擦除方法及上电修复方法，以减小或者消除意外掉电对非易失性存储器的不良影响，提高其可靠性。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种用于非易失性存储器的擦除方法和上电修复方法，减小或消除意外掉电对非易失性存储器的不良影响，提高其可靠性。

根据本发明的一方面，提供一种用于非易失性存储器的擦除方法，所述非易失性存储器包括多个用于存储数据的区域，所述擦除方法包括：将选定区域对应的标志位标记为第一状态，所述标志位位于状态标志区；对所述选定区域进行擦除操作；将所述选定区域对应的所述标志位标记为第二状态。

可选地，所述状态标志区包括与所述多个用于存储数据的区域对应的多个标志位存储区；所述标志位存储区包括一个或多个标志位。

可选地，每个所述标志位包括两个相邻的存储单元。

可选地，所述第一状态选自二进制的01；所述第二状态选自二进制的00；以及，所述标志位还包括初始状态，所述初始状态选自二进制的11。

可选地，所述多个用于存储数据的区域以及所述状态标志区位于所述非易失性存储器的存储单元阵列中。

可选地，字线包括的标志位存储区的数量，与所述存储单元阵列的擦除次数、字线包括的标志位数量相关。

可选地，x^2＝y*(m/n)，其中，x为一条字线包括的所述标志位存储区的数量，y为一条字线包括的所述标志位的数量，m为所述选定区域需满足的擦除次数，n为所述标志位存储区需满足的擦除次数。

可选地，所述选定区域需满足的擦除次数等于所述标志位存储区需满足的擦除次数。

可选地，在所述将选定区域对应的标志位标记为第一状态的步骤之前，还包括：读取所述标志位存储区；若所述标志位存储区包括处于第一状态的标志位，则判断所述标志位存储区的对应区域是否包括过擦除存储单元；若所述对应区域包括所述过擦除存储单元，则对所述过擦除存储单元进行校验、修复；完成所述对应区域中全部过擦除存储单元的校验、修复后，将所述处于第一状态的标志位标记为第二状态；以及，重复进行上述流程，直至遍历读取所述状态标志区的所述标志位存储区。