[发明专利]磁性随机存储器的制作方法以及磁性随机存储器在审
| 申请号： | 202210357024.7 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116940209A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 冀正辉;刘俊 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10N50/85 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 311121 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种磁性随机存储器的制作方法以及磁性随机存储器，该方法包括：提供基底；在基底的裸露表面上依次形成多个结构层，结构层包括沟槽以及位于沟槽中的一个MTJ膜层，任意两个相邻的MTJ膜层的侧壁不在同一个平面上，多个结构层对应的多个MTJ膜层从远离基底的方向上依次至少包括参考层、隧穿层以及自由层。该方法中，通过分层形成MTJ膜层，且使得各MTJ膜层的侧壁不在同一个平面上，从而使得不同MTJ膜层在横向空间上呈现隔断和不连续的状态，进而解决了现有技术的在MTJ制备过程中容易产生边界短路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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