[发明专利]太阳能电池及其加工方法

摘要

本申请公开了一种太阳能电池及其加工方法，其中，方法包括：提供硅基体，所述硅基体其中一面具有栅线接触区域和非栅线接触区；在所述栅线接触区域形成孔洞表面结构；在所述孔洞表面结构上顺次沉积第一氧化硅层和第一多晶硅层，所述第一多晶硅层通过原位掺杂的沉积方式形成，所述第一多晶硅层具有第一掺杂浓度；在非栅线接触区上顺次沉积第二氧化硅层和第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行掺杂，获得第二掺杂浓度的第二多晶硅层，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；在所述栅线接触区域形成栅线，所述栅线与所述第一多晶硅层欧姆接触。改方案解决了现有技术中通过二次扩散，容易造成二次扩散穿透氧化硅层，导致漏电的问题发生。