[发明专利]太阳能电池及其加工方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供硅基体，所述硅基体其中一面具有栅线接触区域和非栅线接触区；

在所述栅线接触区域形成孔洞表面结构；

在所述孔洞表面结构上顺次沉积第一氧化硅层和第一多晶硅层，所述第一多晶硅层通过原位掺杂的沉积方式形成，所述第一多晶硅层具有第一掺杂浓度；

在非栅线接触区上顺次沉积第二氧化硅层和第二多晶硅层；

对所述第二多晶硅层进行掺杂，获得第二掺杂浓度的第二多晶硅层，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；

在所述栅线接触区域形成栅线，所述栅线与所述第一多晶硅层欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的加工方法，其特征在于，所述在所述栅线接触区域形成孔洞表面结构，具体为：

对所述硅基体其中一面进行碱溶液抛光；

在所述碱溶液抛光后的面上沉积酸抛保护层，并对所述酸抛保护层进行图案化，形成暴露所述栅线接触区域的第一开口；

对所述第一开口进行酸溶液抛光，形成位于所述栅线接触区域的所述孔洞表面结构；

或者，

对所述硅基体其中一面进行酸溶液抛光，获得具有孔洞结构的表面；

在所述具有孔洞结构的表面上沉积碱抛保护层，并对所述碱抛保护层进行图案化，形成暴露所述非栅线接触区域的第二开口；

对所述第二开口进行碱溶液抛光，去除非栅线接触区域的孔洞结构，保留栅线接触区域的孔洞结构，获得位于所述栅线接触区域的所述孔洞表面结构。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的加工方法，其特征在于，所述在所述碱溶液抛光后的面上沉积酸抛保护层，并对所述酸抛保护层进行图案化，形成暴露所述栅线接触区域的第一开口，具体为：

在所述碱溶液抛光后的面上沉积酸抛保护层；

在所述酸抛保护层上涂敷第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光显影，形成暴露所述酸抛保护层的第三开口；

去除所述第三开口范围内的所述酸抛保护层，在所述酸抛保护层中获得具有暴露所述栅线接触区域的所述第一开口。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池的加工方法，其特征在于，所述在所述具有孔洞结构的表面上沉积碱抛保护层，并对所述碱抛保护层进行图案化，形成暴露所述非栅线接触区域的第二开口，具体为：

在所述具有孔洞结构的表面上沉积碱抛保护层；

在所述碱抛保护层上涂敷第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层进行曝光显影，形成暴露所述碱抛保护层的第四开口；

去除所述第四开口范围内的所述碱抛保护层，在所述碱抛保护层中获得具有暴露所述非栅线接触区域的所述第二开口。

5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池的加工方法，其特征在于，所述酸溶液抛光包括顺次进行的第一酸溶液抛光和第二酸溶液抛光；所述第一酸溶液抛光采用AgNO₃/HF酸体系，所述第二酸溶液抛光采用HF/HNO₃酸体系。

6.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池的加工方法，其特征在于，通过原子层沉积工艺或低压化学气相淀积工艺沉积所述第一氧化硅层、所述第一多晶硅层、所述第二氧化硅层和所述第二多晶硅层。

7.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池的加工方法，其特征在于，所述第一掺杂浓度为[3.0-3.5]e²¹，所述第二掺杂浓度为[1.5-2.5]e²¹。

8.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池的加工方法，其特征在于，所述孔洞表面结构的孔深为[300，400]nm，孔径为[600，700]nm。

9.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池的加工方法，其特征在于，所述栅线接触区域的面积占所述硅基体其中一面面积的[2.5％，3.5％]。

10.一种太阳能电池，其特征在于，根据权利要求1-9任一项所述的太阳能电池的加工方法制备而成。