[发明专利]太阳能电池及其加工方法

说明书

本申请公开了一种太阳能电池及其加工方法，其中，方法包括：提供硅基体，所述硅基体其中一面具有栅线接触区域和非栅线接触区；在所述栅线接触区域形成孔洞表面结构；在所述孔洞表面结构上顺次沉积第一氧化硅层和第一多晶硅层，所述第一多晶硅层通过原位掺杂的沉积方式形成，所述第一多晶硅层具有第一掺杂浓度；在非栅线接触区上顺次沉积第二氧化硅层和第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行掺杂，获得第二掺杂浓度的第二多晶硅层，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；在所述栅线接触区域形成栅线，所述栅线与所述第一多晶硅层欧姆接触。改方案解决了现有技术中通过二次扩散，容易造成二次扩散穿透氧化硅层，导致漏电的问题发生。

技术领域

本发明一般涉及太阳能光伏发电技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其加工方法。

背景技术

TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel OxidePassivated Contact)太阳能电池技术。一般地，TOPCon太阳能电池包括N型硅基体，在N型硅基体的背面沉积一层超薄氧化硅层，然后，在氧化硅层上沉积一层多晶硅硅薄层，之后对多晶硅层进行掺杂，且在栅线接触区域形成重掺杂，在非栅线接触区形成轻掺杂。目前，在栅线接触区域通常通过二次扩散的方式形成重掺杂，采用此种方式，二次扩散的深度难以控制，容易造成二次扩散穿透氧化硅层，导致漏电的问题发生。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种太阳能电池及其加工方法，用以至少解决现有技术中通过二次扩散，在栅线接触区域形成重掺杂，容易造成二次扩散穿透氧化硅层，导致漏电的问题发生。

第一方面，本发明提供一种一种太阳能电池的加工方法，包括以下步骤：

提供硅基体，所述硅基体其中一面具有栅线接触区域和非栅线接触区；

在所述栅线接触区域形成孔洞表面结构；

在所述孔洞表面结构上顺次沉积第一氧化硅层和第一多晶硅层，所述第一多晶硅层通过原位掺杂的沉积方式形成，所述第一多晶硅层具有第一掺杂浓度；

在非栅线接触区上顺次沉积第二氧化硅层和第二多晶硅层；

对所述第二多晶硅层进行掺杂，获得第二掺杂浓度的第二多晶硅层，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；

在所述栅线接触区域形成栅线，所述栅线与所述第一多晶硅层欧姆接触。

作为可实现方式，所述在所述栅线接触区域形成孔洞表面结构，具体为：

对所述硅基体其中一面进行碱溶液抛光；

在所述碱溶液抛光后的面上沉积酸抛保护层，并对所述酸抛保护层进行图案化，形成暴露所述栅线接触区域的第一开口；

对所述第一开口进行酸溶液抛光，形成位于所述栅线接触区域的所述孔洞表面结构；

或者，

对所述硅基体其中一面进行酸溶液抛光，获得具有孔洞结构的表面；

在所述具有孔洞结构的表面上沉积碱抛保护层，并对所述碱抛保护层进行图案化，形成暴露所述非栅线接触区域的第二开口；

对所述第二开口进行碱溶液抛光，去除非栅线接触区域的孔洞结构，保留栅线接触区域的孔洞结构，获得位于所述栅线接触区域的所述孔洞表面结构。

作为可实现方式，所述在所述碱溶液抛光后的面上沉积酸抛保护层，并对所述酸抛保护层进行图案化，形成暴露所述栅线接触区域的第一开口，具体为：

在所述碱溶液抛光后的面上沉积酸抛保护层；

在所述酸抛保护层上涂敷第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光显影，形成暴露所述酸抛保护层的第三开口；