[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统在审
| 申请号： | 202210335897.8 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114709171A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 夏正亮;周文斌;霍宗亮;徐文祥;魏健蓝 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、堆叠结构、开口、第一绝缘层、第一填充层以及第二填充层，堆叠结构包括多个叠置的第一台阶，第一台阶包括依次设置的绝缘介质层以及牺牲层，开口中，第一子开口贯穿牺牲层至绝缘介质层，第二子开口连通第一子开口并贯穿至衬底中，第二子开口中依次设置有第一绝缘层以及第一填充层，第一子开口填充有第二填充层；将各牺牲层以及各第二填充层分别置换为包括第一金属层的材料；去除衬底以及部分的第一绝缘层，使得各第一填充层裸露；将各第一填充层分别置换为第二金属层。本申请保证了制程中对半导体器件的整体结构的支撑作用较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 以及 存储系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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