[发明专利]基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器在审

专利信息
申请号: 202210333560.3 申请日: 2022-03-31
公开(公告)号: CN114744110A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 程晓敏;曾运韬;李凯;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;C23C14/06;C23C14/30;C23C14/35;C23C16/30
代理公司: 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 代理人: 王世芳;梁鹏
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种基于晶格匹配的化合物掺杂Ge‑Sb‑Te相变材料和相变存储器,属于微纳米电子技术领域,其化学式为(MA)x(Ge‑Sb‑Te)1‑x,其中,MA为面心立方结构的高熔点化合物,其熔点大于900K,面心立方结构的高熔点化合物MA与Ge‑Sb‑Te体系晶格匹配,x代表面心立方结构化合物分子数占总分子数的百分比,0x10%,所述MA包括SrS、CaSe、CaS、ScN、ScBi、TiN和HfN的一种或者多种。本发明还提供了包括以上相变材料的相变存储器。本发明的相变材料能同时提高相变存储器的擦写速度和循环性能,提高器件的稳定性,最终全方位地实现改善器件的综合性能。
搜索关键词: 基于 晶格 匹配 化合物 掺杂 ge sb te 相变 材料 存储器
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