[发明专利]一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210327018.7 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114883387A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;刘延聪;张玉明;陈利利;袁昊;宋庆文;陈泽宇;王溶 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 方婷 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SM‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层远离N+衬底的一侧表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE区；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表面生长第二N‑外延层，并制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。本发明将JTE区分割为多个SMJTE结构，能够将JTE区的单点的电场峰值分散至这些SMJTE结构，从而在降低电场峰值的同时，使功率器件具有更强的抗剂量偏移特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 功率 器件 sm jte 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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