[发明专利]一种导线及其形成方法在审
| 申请号： | 202210326066.4 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114664731A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 游咏晞;郑志成;黄震麟;吴启明 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种导线及其形成方法，所述形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线；在所述沟槽的底壁和侧壁上形成阻挡层；对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的深度；以及在所述沟槽中填充金属材料，以形成金属互连线，进而形成导线。本发明通过增加了对沟槽底壁上的阻挡层进行物理轰击工艺，可以改变沟槽的形状，同时还增大了金属材料的填充纵截面，可以有效降低导线的阻值，具体的，可以降低导线的阻值约5%，减少了RC延迟现象的发生，提升了导线响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导线 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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