[发明专利]铁电场效晶体管装置在审
申请号: | 202210322710.0 | 申请日: | 2022-03-29 |
公开(公告)号: | CN114975617A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 林柏廷;廖崧甫;黄彦杰;陈海清;林佑明;林仲德 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 铁电场效晶体管装置,包括使用原子层沉积(ALD)沉积的铁电材料层。借由控制ALD沉积序列的参数,可以设计铁电层的晶体结构和铁电特性。包括相对较短前驱物脉冲持续时间和连续前驱物脉冲之间的清洗持续时间的ALD沉积序列可提供具有相对均匀晶粒尺寸和小平均晶粒尺寸的铁电层,这可以提供有效的铁电效能。包括相对较长前驱物脉冲持续时间和连续前驱物脉冲之间的清洗持续时间的ALD沉积序列可提供具有较不均匀晶粒尺寸和较大平均晶粒尺寸的铁电层。具有较大平均晶粒尺寸的铁电层可表现增强的结晶度和稳定的正交晶相,特别是在相对较薄的层中。 | ||
搜索关键词: | 电场 晶体管 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210322710.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类