[发明专利]一种SRAM用快速热启动PLL结构及快速热启动方法在审
| 申请号： | 202210316283.5 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114759916A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 陆时进;刘劭璠;陈雷;刘琳;胡春艳;刘晨静;任荣康;赵佳;郑涛;黄新壮 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H03L7/08 | 分类号： | H03L7/08;H03L7/089;H03L7/095 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 刘秀祥 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 高速SRAM在高频工作模式下时钟输入频率异常(输入信号频率低于基础频率或直接变为固定信号)后重启PLL需要较长时间，本发明提供了一种SRAM用快速热启动PLL结构，包括：鉴相器、电荷泵、热启动控制电路、压控振荡器、分频器。热启动控制电路是一个产生基础频率的控制电压产生模块。SRAM输入频率异常(输入信号频率低于基础频率或直接变为固定信号)时，热启动控制电路会产生一个基础频率的控制电压给压控振荡器，保持PLL在一个设定的基础频率上进行自激振荡，当外部输入频率正常后，PLL将在这个频率基础上开始调频调相，快速进入再次锁定状态，该结构可以让SRAM更快速的进入正常工作状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 快速 启动 pll 结构 方法 | ||
【主权项】：
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