[发明专利]半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202210315573.8 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114421280B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;龙浩;郭娟 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 徐俊伟 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器，包括衬底，衬底上依次外延生长有缓冲层、有源层以及InP层，还包括光栅层，光栅层的制作具体为于InP层向有源层的方向刻蚀形成光栅，并在经过刻蚀后的InP层上进行光栅掩埋得到光栅层；在进行光栅掩埋前通入惰性气体；光栅层中的高折射率材料和进行光栅掩埋的材料相同，惰性气体作为光栅层中的低折射率材料。还提供一种制作方法。本发明的光栅层设计中以惰性气体作为低折射率材料，使得光栅层材料折射率差为传统设计的10倍及其以上，极大地提高光栅耦合系数，进而提高激光器的耦合效率和功率效率。光栅层设计材料相同，相较于传统的InGaAsP/InP两种材料，相同的材料设计，易于外延生长，有助于提高界面处光栅层外延生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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