[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 202210315111.6 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114759078A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;简鹏;张澳航;王玉莹;徐向涛;李剑;廖瑞金 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、第一导电类型缓冲层(20)、轻掺杂第一导电类型漂移层(21)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、栅极绝缘介质层(40)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明采用较小的背面元胞尺寸抑制RC‑IGBT在正向导通时的折回(snap‑back)现象，提高可靠性并降低功率损耗，提升RC‑IGBT器件整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
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