[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 202210315111.6 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114759078A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;简鹏;张澳航;王玉莹;徐向涛;李剑;廖瑞金 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、第一导电类型缓冲层(20)、轻掺杂第一导电类型漂移层(21)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、栅极绝缘介质层(40)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)。
所述重掺杂第一导电类型集电极区(11)覆盖于集电极金属层(1)部分区域之上；
所述重掺杂第二导电类型集电极区(10)覆盖于集电极金属层(1)部分区域之上；
所述轻掺杂第二导电类型集电极区(12)覆盖于重掺杂第二导电类型集电极区(10)之上；
所述重掺杂第一导电类型集电极区(11)由多个重复单元构成；所述重掺杂第二导电类型集电极区(10)和轻掺杂第二导电类型集电极区(12)位于所述重掺杂第一导电类型集电极区(11)两个重复单元之间。
2.根据权利要求1所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第一导电类型缓冲层(20)位于重掺杂第一导电类型集电极区(11)和轻掺杂第二导电类型集电极区(12)之上；所述第一导电类型缓冲层(20)和所述重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)相接触。
3.根据权利要求1所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第一导电类型缓冲层(20)部分位于重掺杂第一导电类型集电极区(11)之上，并浮于轻掺杂第一导电类型漂移层(21)之中。
4.根据权利要求1所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：还包括重掺杂第一导电类型缓冲层(13)，所述重掺杂第一导电类型缓冲层(13)覆盖于轻掺杂第二导电类型集电极区(12)之上；所述第一导电类型缓冲层(20)位于重掺杂第一导电类型集电极区(11)之上，并浮于轻掺杂第一导电类型漂移层(21)之中。
5.根据权利要求1、2任一项所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)和第一导电类型缓冲层(20)构成所述一种逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。
6.根据权利要求1、3所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、第一导电类型缓冲层(20)和部分轻掺杂第一导电类型漂移层(21)构成所述一种逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。
7.根据权利要求1、4任一项所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、重掺杂第一导电类型缓冲层(13)、第一导电类型缓冲层(20)和部分轻掺杂第一导电类型漂移层(21)构成所述一种逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。
8.根据权利要求1所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述栅极接触层(3)位于重掺杂第一导电类型栅极区(33)部分区域之上；所述重掺杂第一导电类型栅极区(33)位于栅极绝缘介质层(40)内部；所述栅极接触层(3)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)和栅极绝缘介质层(34)构成所述一种逆导型绝缘栅双极型晶体管的栅极结构；所述栅极结构位于轻掺杂第一导电类型漂移层(21)部分区域之上；所述栅极结构由多个重复单元构成。
9.根据权利要求1所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：还包括发射极绝缘介质层(41)；
所述发射极绝缘介质层(41)位于发射极接触层(2)和栅电极接触层(3)之间，起到电气隔离作用。
10.根据权利要求9所述的一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第二导电类型基区(30)位于轻掺杂第一导电类型漂移层(21)部分区域之上；所述第二导电类型基区(30)位于栅极结构两个重复单元之间；
所述重掺杂第二导电类型发射区(31)位于轻掺杂第二导电类型基区(30)部分区域之上；
所述重掺杂第二导电类型基区(32)位于轻掺杂第二导电类型基区(30)部分区域之上；
所述发射极接触层(2)位于重掺杂第二导电类型发射区(31)之上；所述发射极接触层(2)还位于重掺杂第二导电类型基区(32)部分区域之上；
所述发射极绝缘介质层(41)位于发射极接触层(2)和栅电极接触层(3)之间，起到电气隔离作用；
所述第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、栅极绝缘介质层(10)、栅极绝缘介质层(40)、发射极绝缘介质层(41)、发射极接触层(2)和栅极接触层(3)构成所述一种逆导型绝缘栅双极型晶体管的正面MOS结构。
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