[发明专利]基于III族氮化物同质外延的HEMT结构、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 202210291994.1 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664642B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王国斌;闫其昂 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于III族氮化物同质外延的HEMT结构、其制备方法及应用。所述HEMT结构的制备方法包括：对半绝缘性III族氮化物单晶衬底的表面进行重构，以去除所述衬底吸收有杂质的表层部分，之后在所述衬底上生长高平整度、高电阻率的绝缘性III族氮化物层，完成对所述衬底表面的修复，然后在所述衬底上生长HEMT器件的外延结构。利用本申请的技术方案可以获得高质量的同质外延III族氮化物层，彻底解决III族氮化物单晶衬底与同质外延层界面处的施主杂质所引起的界面态质量低等问题，利于充分发挥III族氮化物同质外延半导体器件的优秀性能，例如可以使HEMT器件的开关响应速度、耐压性能等得到显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 iii 氮化物 同质 外延 hemt 结构 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
