[发明专利]一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法在审
| 申请号： | 202210279829.4 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114864410A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 刘珂静;王涛 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/477 | 分类号： | H01L21/477;H01L29/221 |
| 代理公司： | 西安匠星互智知识产权代理有限公司 61291 | 代理人： | 屠沛 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法，解决现有的晶片表面处理过程中引入新的表面损伤，导致晶片质量恶化影响后续器件制备等问题；该方法在晶锭进行切割、磨抛后，在高温下，通入反应性气氛与晶片表面的缺陷和应力层发生反应，生成惰性物质或易挥发气体，并在高温退火时，将生成物变成气态物质，随保护气氛排出，获得理想的晶体表面即。引入反应气氛，除对晶体生长过程中产生的内部缺陷进行调控外，还将表面的加工层进行反应去除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 化合物 半导体 晶体 表面 损伤 反应 气氛 退火 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210279829.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
