[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 202210276504.0 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN114649345A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 陈赫;黄磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/11578;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李镇江 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括阵列器件和将源极层引出的沿第一方向排列的多行源极引出触点。该阵列器件包括多个沟道结构和沿第一方向延伸的多行栅线缝隙，相邻两行栅线缝隙具有第一间距，相邻两行源极引出触点具有第二间距。其中，第二间距等于第一间距，使每个源极引出触点在指存储块中的位置固定，因此每个源极引出触点周围的沟道结构到该源极引出触点的距离固定，从而可以避免沟道结构和源极引出触点间的压降浮动太大，可以使压降控制在较小范围内，以提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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