[发明专利]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

阵列器件，包括多个沟道结构，以及与所述多个沟道结构连接的源极层；

多个源极引出触点，与所述源极层连接，并与所述多个沟道结构分别位于所述源极层的两侧；所述多个源极引出触点在所述源极层上的正投影均匀间隔分布。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括沿平行于所述源极层的第一方向延伸的多行栅线缝隙，且相邻两行所述栅线缝隙之间具有第一间距。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述多个源极引出触点沿所述第一方向排列成多行，同一行的所述源极引出触点沿所述第一方向等间隔分布。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述多个源极引出触点沿所述第一方向排列成多行，且相邻两行所述源极引出触点之间具有第二间距。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一间距等于所述第二间距。

6.根据权利要求3-5任一所述的半导体器件，其特征在于，不同行的所述源极引出触点在所述第一方向交错分布。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个所述源极引出触点在所述源极层所构成的平面上的投影，位于相邻两行所述栅线缝隙在所述平面上的投影之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，每个所述源极引出触点在所述平面上的投影，位于相邻两行所述栅线缝隙在所述平面上的投影的正中间。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个所述源极引出触点和所述栅线缝隙在所述源极层所构成的平面上的投影具有重合部分。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极引出触点为长条状，所述源极引出触点的长度方向与沿平行于所述源极层的第一方向一致。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极引出触点为长条状，所述源极引出触点的宽度方向与沿平行于所述源极层的第一方向一致。

12.根据权利要求10或11所述的半导体器件，其特征在于，所述源极引出触点在第二方向对齐，所述第二方向垂直于所述第一方向、且平行于所述源极层。

13.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括金属互联层，覆盖所述多个源极引出触点。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述金属互联层包括连续延伸且平行的多条第一走线，以及将相邻两条所述第一走线连接、且与所述第一走线垂直的多条第二走线。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述多条第一走线覆盖所述多个源极引出触点，且沿所述源极引出触点的长度方向连续延伸。

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述多条第二走线覆盖所述多个源极引出触点，每条所述第一走线覆盖一行所述栅线缝隙、且沿所述栅线缝隙连续延伸。

17.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，相邻两条所述第一走线之间的区域为第二走线区域，相邻两个所述第二走线区域中的所述第二走线交错分布。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极引出触点的形状为圆形或正方形。

19.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅线缝隙包括至少两行第一栅线缝隙，和位于相邻两行所述第一栅线缝隙之间的至少一行第二栅线缝隙，所述第一栅线缝隙将所述阵列器件划分为多个存储块，所述第二栅线缝隙将所述存储块划分为多个指存储块，所述第一间距为所述指存储块的宽度。