[发明专利]一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210272377.7 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114843404A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杨珣;陈雪霞;娄庆;董林;单崇新 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;G01B7/00 |
| 代理公司： | 郑州慧广知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41160 | 代理人： | 付晓利 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提出了本发明提出一种g‑CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法，g‑CN/Si异质结位置敏感探测器包括硅衬底和硅衬底的上沉积的g‑CN薄膜，以及g‑CN薄膜上设置有四个电极；所属制备方法包括：(1)采用化学气相沉积在Si衬底上制备g‑CN薄膜；(2)在g‑CN薄膜上通过热蒸发技术蒸镀金属层，采用紫外光刻技术去除金属层多余的金属，得到电极结构。本发明的位置敏感探测器显示出极高的位置灵敏度，可以实现对光斑位置的实时追踪测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cn si 异质结 位置 敏感 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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