[发明专利]一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210272377.7 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114843404A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杨珣;陈雪霞;娄庆;董林;单崇新 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;G01B7/00 |
| 代理公司： | 郑州慧广知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41160 | 代理人： | 付晓利 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cn si 异质结 位置 敏感 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器，其特征在于：包括硅衬底，硅衬底的上侧设有g-CN薄膜，g-CN薄膜的上侧设置有电极。
2.根据权利要求1所述的一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器，其特征在于：电极的数量为4个，4个电极呈方形排布。
3.根据权利要求1所述的一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器，其特征在于：所述g-CN/Si异质结位置敏感探测器的位置灵敏度为340-400mV/mm。
4.根据权利要求1所述的一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器，其特征在于：所述g-CN/Si位置敏感探测器的对光波长的检测范围为300-1100nm。
5.根据权利要求1所述的一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器，其特征在于：电极为金电极。
6.一种权利要求1-5之一所述的g-CN/Si异质结位置敏感探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用化学气相沉积在Si衬底上制备g-CN薄膜；
(2)在g-CN薄膜上通过热蒸发技术蒸镀金属层，采用紫外光刻技术去除金属层多余的金属，得到电极。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，采用化学气相沉积在Si衬底上制备g-CN薄膜的具体方法如下：
采用Si衬底作为生长衬底，称取2-10g的三聚氰胺置于管式炉的第一温区，第一温区的目标温度为250-350℃，升温速度为20℃/min；将Si衬底置于管式炉的第二温区，第二温区的目标温度为500-600℃，升温速率为20℃/min；第一温区和第二温区到达目标温度后控制生长时间为5-180min，生长结束后，自然冷却到室温。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，蒸镀金属层的条件如下：真空度3-6×10-4，热蒸发电流为40-70A，金属蒸发源使用纯度为99.999％的金丝，蒸发时间为2-10min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
