[发明专利]一种气密性芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210272027.0 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114725011A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 杨婷;敖国军;仝良玉 | 申请（专利权）人： | 南京睿芯峰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京中高专利代理有限公司 32333 | 代理人： | 沈雄 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种气密性芯片结构及其制备方法。方法包括：在设有至少一个第一线路区的顶部TSV芯片上，分别电镀上至少一个第一铜环以及至少一个第一铜柱；在设有至少一个第二线路区的底部芯片上，分别电镀上至少一个第二铜环和至少一个第二铜柱；将电镀后的顶部TSV芯片倒装于电镀后的底部芯片上，形成倒装芯片；在倒装芯片的顶部进行植球，形成气密性芯片结构。本发明基于中道工艺和bumping工艺来形成含有内置铜环的空腔结构，该内置铜环的空腔结构可实现芯片间3D垂直互联，满足高气密性要求，实现了高气密性的芯片封装，封装成本低；通过芯片堆叠，提高了芯片间互联密度，可实现高度集成和小型化要求，芯片选型更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气密性 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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