[发明专利]一种气密性芯片结构及其制备方法

权利要求书

1.一种气密性芯片结构的制备方法，其特征在于，包括：

在设有至少一个第一线路区的顶部TSV芯片上，分别电镀上至少一个第一铜环以及至少一个第一铜柱；

在设有至少一个第二线路区的底部芯片上，分别电镀上至少一个第二铜环和至少一个第二铜柱；

将电镀后的所述顶部TSV芯片倒装于电镀后的所述底部芯片上，形成倒装芯片；

在所述倒装芯片的顶部进行植球，形成气密性芯片结构。

2.根据权利要求1所述的气密性芯片结构的制备方法，其特征在于，所述第一线路区的数量和所述第二线路区的数量相同，且所有所述第一线路区与所有所述第二线路区一一对应；

所述第一铜环的数量与所述第一线路区的数量相同，且所有所述第一铜环与所有所述第一线路区一一对应；所述第二铜环的数量与所述第二线路区的数量相同，且所有所述第二铜环与所有所述第二线路区一一对应；

所述在设有至少一个第一线路区的顶部TSV芯片上，分别电镀上至少一个第一铜环，包括：

在所述顶部TSV芯片上的每个所述第一线路区的外侧，分别电镀上对应的所述第一铜环；

所述在设有至少一个第二线路区的底部芯片上，分别电镀上至少一个第二铜环，包括：

在所述底部芯片上的每个所述第二线路区外侧，分别电镀上对应的所述第二铜环。

3.根据权利要求2所述的气密性芯片结构的制备方法，其特征在于，每个所述第一线路区均包括至少一个硅通孔；

所述硅通孔的数量、所述第一铜柱的数量和所述第二铜柱的数量均相同，且所有所述硅通孔与所有所述第一铜柱一一对应，所有所述第二铜柱与所有所述第一铜柱一一对应；

所述将电镀后的所述顶部TSV芯片倒装于电镀后的所述底部芯片上，形成倒装芯片，包括：

将电镀后的所述顶部TSV芯片倒扣于电镀后的所述底部芯片上，使得所述顶部TSV芯片上的所有所述第一铜柱与所述底部芯片上的所有所述第二铜柱一一对应接触，以及使得所述顶部TSV芯片上的所有所述第一铜环与所述底部芯片上的所有所述第二铜环一一对应接触；

采用焊料，将每个所述第一铜柱与对应接触的每个所述第二铜柱进行焊接，以及将每个所述第一铜环与对应接触的每个所述第二铜环进行焊接，形成所述倒装芯片。

4.根据权利要求3所述的气密性芯片结构的制备方法，其特征在于，所述在设有至少一个第一线路区的顶部TSV芯片上，分别电镀上至少一个第一铜柱，包括：

在所述顶部TSV芯片上的每个所述硅通孔处，分别电镀上对应的第一铜柱，使得每个所述第一铜柱与对应的所述硅通孔接触。

5.根据权利要求3所述的气密性芯片结构的制备方法，其特征在于，所述在所述倒装芯片的顶部进行植球，形成气密性芯片结构，包括：

对所述倒装芯片的顶部进行研磨，使得所述倒装芯片中的所有所述硅通孔露头；

在露头的每个所述硅通孔上分别进行植球，形成所述气密性芯片结构。

6.根据权利要求5所述的气密性芯片结构的制备方法，其特征在于，当所述第一线路区的数量大于1时，所述在设有至少一个第一线路区的顶部TSV芯片上，分别电镀上至少一个第一铜环以及至少一个第一铜柱之后，还包括：

按照每个所述第一线路区上的第一预设划片道对电镀后的所述顶部TSV芯片进行预切割。

7.根据权利要求6所述的气密性芯片结构的制备方法，其特征在于，每个所述第一预设划片道的深度均大于或等于所有所述硅通孔的深度。

8.根据权利要求7所述的气密性芯片结构的制备方法，其特征在于，所述在露头的每个所述硅通孔上分别进行植球之后，还包括：

按照每个所述第二线路区上的第二预设划片道，对植球后的所述倒装芯片的底部进行二次切割，形成所述气密性倒装芯片。