[发明专利]记忆体阵列、位准移位电路以及偏压电路在审
| 申请号： | 202210266412.4 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN115527568A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 喻鹏飞;张盟昇;张彤诚;王奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种记忆体阵列、位准移位电路以及偏压电路，记忆体阵列包含N堆叠通道栅、赋能线、N型金属氧化物半导体堆叠、字元线及电阻元件矩阵。每一N堆叠通道栅包含串联的第1级P型金属氧化物半导体核心装置及第N级P型金属氧化物半导体核心装置。每一第1级P型金属氧化物半导体耦接至电压供应。每一赋能线驱动堆叠通道栅。每一N堆叠选择器包含N型金属氧化物半导体堆叠。每一N型金属氧化物半导体堆叠包含串联的第1级N型金属氧化物半导体核心装置及第N级N型金属氧化物半导体核心装置。每一第1级N型金属氧化物半导体核心装置耦接至接地轨。每一字元线驱动堆叠选择器。每一电阻元件耦接在堆叠通道栅与堆叠选择器之间。电压供应大于核心装置的崩溃电压。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 阵列 移位 电路 以及 偏压 | ||
【主权项】：
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