[发明专利]一种室温铁磁性半导体及其制备方法、用途有效
| 申请号： | 202210247602.1 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114506851B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李仁宏;祝宏亮;闫晓庆;韦童 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04;C01G23/047;B22F1/054;B22F9/24;B01J23/44;B01J23/50;B01J23/46;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 浙江永航联科专利代理有限公司 33304 | 代理人： | 张进 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市钱塘*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及催化剂领域，本发明公开了一种室温铁磁性半导体及其制备方法、用途。该室温铁磁性半导体呈颗粒状，包括过渡金属硼化物载体，包覆于过渡金属硼化物载体表面的过渡金属氧化物层，以及负载于过渡金属硼化物载体表面或内部的纳米金属颗粒。本发明室温铁磁性半导体的铁磁性具有本征特性，且可通过和负载纳米金属颗粒的金属‑载体强相互作用进行磁性的调控，使得纳米金属颗粒和过渡金属硼化物载体在高温处理过程中可形成稳定的核壳结构，保证纳米金属颗粒具有优良的抗烧结性能；也可通过二次煅烧来提升室温铁磁性半导体本身的磁性。并且，该材料经外加磁场磁化后，其电催化性能明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 铁磁性 半导体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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