[发明专利]薄型传感器芯片的扇出封装结构及其封装方法在审
申请号: | 202210231626.8 | 申请日: | 2022-03-10 |
公开(公告)号: | CN114759050A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 方立志 | 申请(专利权)人: | 艾司博国际有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人: | 杨润 |
地址: | 中国香港九龙旺角弥敦道721*** | 国省代码: | 香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了薄型传感器芯片的扇出封装结构,包括玻璃载具组、芯片级封装和扇出型封装,所述玻璃载具组包括晶圆级玻璃载具和薄玻璃,所述薄玻璃的底部粘附有保护胶带,且保护胶带的表面粘结有金属层,本发明涉及半导体封装技术领域。该薄型传感器芯片的扇出封装结构,通过影像传感器用薄型的封装,图像信号处理器也做在薄型封装体内,再将两者整合成一个封装体,透过特殊的设计及制程方法,可以将玻璃、芯片、封装体变薄,又有足够的强度,不会造成影像变形。 | ||
搜索关键词: | 传感器 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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