[发明专利]一种基于低介电常数介质的SiCVDMOSFET器件有效
| 申请号： | 202210226980.1 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114725206B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李明玥;刘东;欧阳杰;蓝中;胡夏融 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 周芸婵 |
| 地址： | 610031*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低介电常数介质的SiCVDMOSFET器件，包括从下到上依次设置的N型衬底、N型外延层、CS层、JFET2区、JFET1区、基于低介电常数介质的台阶栅、多晶硅层、隔离氧化层、金属电极层；本发明通过采用低介电常数介质降低器件的栅漏电容和栅源电容，提升器件的开关速度；同时，利用P+Shielding区的屏蔽作用，降低了器件正向阻断时的介质层内部电场，提高了器件的可靠性，在保证器件栅极可靠与较低比导通电阻的前提下，进一步降低了器件的栅漏电容与栅源电容，使器件的开关频率进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 介电常数 介质 sicvdmosfet 器件 | ||
【主权项】：
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