[发明专利]一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202210219208.7 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114597256A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 任开琳;高蒙;张建华;殷录桥;路秀真;郭爱英;王昊天 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法，负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，栅极为三维鳍式结构，且栅极由上至下覆盖铁电介质层、氧化层、氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层，且氧化层和铁电介质层在栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构；氮化铝镓势垒层的上表面一端设有源极，另一端设有漏极；氧化层和铁电介质层位于源极与漏极之间并连接漏极和源极。本发明采用负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，利用铁电介质的负电容特性使加到氧化层表面的电压大于栅极电压，在同样的沟道宽度下提供更高的功率放大倍数，提升了氮化镓基功率晶体管的栅控能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 鳍型栅 氮化 功率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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