[发明专利]一种新型结构的IGBT芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202210214633.7 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114566539A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陆界江;周明江;吴磊;李娇 | 申请（专利权）人： | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331;H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型结构的IGBT芯片及制备方法。所述新型结构的IGBT芯片包括：多个元胞结构；单个元胞结构从上到下依次包括芯片表面区域、芯片内部区域以及芯片背面区域；其中芯片表面区域包括发射极区域和氧化层；芯片内部区域包括多晶硅层、栅极氧化层、N+发射区、P+区域、P基区、P浮动区、N‑漂移区以及N‑缓冲区；芯片背面区域包括P+集电极以及背面金属电极；单个元胞结构为轴对称结构；氧化层的中央区域刻蚀有多个等间距设置的分流孔。本发明通过在氧化层的中央区域刻蚀有多个等间距设置的分流孔，在P浮动区上方提供了空穴通道，防止空穴载流子在P浮动区的聚集，在保证击穿电压稳定的情况下提高了IGBT的短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 igbt 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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