[发明专利]一种新型结构的IGBT芯片及制备方法

权利要求书

1.一种新型结构的IGBT芯片，其特征在于，包括：多个元胞结构；单个所述元胞结构从上到下依次包括芯片表面区域、芯片内部区域以及芯片背面区域；其中所述芯片表面区域包括发射极区域和氧化层；所述芯片内部区域包括多晶硅层、栅极氧化层、N+发射区、P+区域、P基区、P浮动区、N-漂移区以及N-缓冲区；所述芯片背面区域包括P+集电极以及背面金属电极；单个所述元胞结构为轴对称结构；

所述芯片内部区域内刻蚀有相互平行的第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽内设置有所述多晶硅层和所述栅极氧化层；所述第一沟槽与单个所述元胞结构的左侧边缘之间设置有所述N+发射区、所述P+区域以及所述P基区；所述N+发射区和所述P+区域均位于所述P基区上方；所述N+发射区位于所述P+区域与所述第一沟槽之间；所述第一沟槽与所述第二沟槽之间为所述P浮动区；所述第一沟槽从所述芯片内部区域的上表面延伸至所述N-漂移区；所述N-漂移区、所述N-缓冲区、所述P+集电极以及所述背面金属电极从上到下依次层叠设置；

所述氧化层的左边缘与单个所述元胞结构的左侧边缘之间刻蚀有分流通道；所述氧化层的中央区域刻蚀有多个等间距设置的分流孔；所述发射极区域覆盖所述氧化层。

2.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，所述P基区的宽度范围为2um-10um；所述P浮动区的宽度范围为8um-40um。

3.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，所述分流孔的宽度范围为2um-8um。

4.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，相邻两个所述分流孔在平行于沟槽方向上的间距范围为400um-750um。

5.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，所述N-漂移区的掺杂浓度范围为1E13～3E14，厚度范围为4～180um。

6.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，所述N-缓冲区的掺杂浓度范围为1E14～1E17，厚度范围为5um～45um。

7.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，所述背面金属电极包括多层背面金属层；所述多层背面金属层包括Al层、Ti层、Ni层以及Ag层。