[发明专利]一种MPCVD法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台在审
| 申请号： | 202210199210.2 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114561698A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 鲁振海;黎振坤;王蒙;张春林;常新磊 | 申请（专利权）人： | 河南天璇半导体科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B30/00;C23C16/27;C30B25/02;C30B25/12 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市河南自贸试验区郑州片区（郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种MPCVD法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台，属于金刚石单晶的制备技术领域。本发明的方法，包括以下步骤：1)将单晶金刚石籽晶摆放到基片台的钼质基片台上；所述钼质基片台的背面开设有环槽和散热槽，所述散热槽开设于所述环槽的外侧并向外延伸；2)然后开启微波等离子体化学气相沉积设备采用等离子体化学气相沉积法沉积金刚石单晶。本发明的方法，通过在钼质基片台背面开设环槽和散热槽，能够降低钼质基片台边缘部位的散热效果，显著降低微波等离子体化学气相沉积金刚石单晶过程中单晶金刚石籽晶的温差，使得金刚石单晶批量化正式生长中生产效率及生长质量得到了极大的提高，有较好的工业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mpcvd 批量 生产 金刚石 方法 钼质基片台 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南天璇半导体科技有限责任公司，未经河南天璇半导体科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210199210.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽轮机振动故障风险的评价方法及系统
- 下一篇：一种图像检测方法
