[发明专利]雪崩光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202210195439.9 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114566557B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 庞雅青;刘智;成步文;郑军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊晓 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种雪崩光电探测器及其制备方法。一种雪崩光电探测器，包括：SOI衬底，SOI衬底包括多层含Si层；掺杂层，设置在SOI衬底的上部，并包括：倍增区；n型掺杂区，设置在倍增区的横向一侧，n型掺杂区设有与倍增区具有相同厚度的阶梯部；p型掺杂区，设置在倍增区的远离n型掺杂区的外侧，与倍增区以及n型掺杂区形成横向n‑i‑p结；波导层，刻蚀在倍增区的纵向一端；窗口层，设置在掺杂层的上部，窗口层开设有第一窗口；光吸收层，经第一窗口设置在倍增区与n型掺杂区的台阶部上，从而在光吸收层内形成均匀的电场分布。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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