[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210185705.X | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN115207121A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 金成玟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 史泉;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基体基底；第一电极板，位于基体基底上；第一电力轨，位于第一电极板上，第一电力轨在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上与第一电极板重叠；第二电力轨，位于第一电极板上，第二电力轨在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上与第一电极板重叠，并且第二电力轨在与第一水平方向不同的第二水平方向上与第一电力轨间隔开；第一电力轨接触件，将第一电极板和第一电力轨电连接；绝缘层，位于基体基底上，以围绕第一电极板、第一电力轨和第二电力轨；以及栅电极，在绝缘层上在第二水平方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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