[发明专利]一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202210185094.9 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114678272A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张波;丁华俊;薛忠营;魏星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 谢文凯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种NiGe/n‑Ge肖特基二极管的制备方法。该方法包括：将Ge片作为衬底，预处理；然后Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；依次蒸镀Al和Ni，然后去除不在图形内的金属；退火，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极。该方法可以有效缓解费米能级钉扎效应，降低NiGe/n‑Ge肖特基势垒高度，并且使得NiGe在400℃到600℃保持热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nige ge 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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