[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202210181283.9 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN116705608A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李政宁;张海洋;涂武涛;纪世良;柯星;李凤美 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供半导体结构的形成方法，包括：形成依次包括底部，鳍部以及栅极结构的半导体结构，所述鳍部包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层，所述若干牺牲层两侧形成有凹部；在所述栅极结构表面和侧壁、所述鳍部侧壁和所述底部表面形成内侧墙材料层，所述栅极结构侧壁的内侧墙材料层凸出于所述鳍部侧壁的内侧墙材料层；在所述栅极结构顶部形成保护层；执行第一离子注入工艺使所述栅极结构侧壁凸出于所述鳍部侧壁的内侧墙材料层转化为第一改性层，去除所述第一改性层；执行第二离子注入工艺使所述凹部和所述栅极结构顶部以外的内侧墙材料层转化为第二改性层，去除所述第二改性层；去除所述保护层。在形成内侧墙的过程中保护栅极结构顶角不被损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
