[发明专利]三维存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210177440.9 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114823497A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈阳;王迪;孔翠翠;吴双双 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成包括多个阶梯台阶的叠层结构，每个所述阶梯台阶包括介质层和牺牲层，所述介质层的上表面的至少一部分暴露；在所述介质层的暴露的上表面上形成刻蚀停止层；形成贯穿所述刻蚀停止层和所述叠层结构的栅线隙；将刻蚀停止层的靠近栅线隙的一部分处理为第一隔离层；经由栅线隙将牺牲层替换为导电层；以及形成穿过刻蚀停止层并延伸至导电层的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
