[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210176840.8 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN115223859A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 北野三千矢 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04;B24B37/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备半导体基板。在半导体装置的制造中，优选半导体基板的厚度均匀。所述制造方法包括：研磨步骤，研磨半导体基板的第一面，在半导体基板的外周形成外周剩余区域；以及旋转蚀刻步骤，用药液对半导体基板的第一面进行蚀刻，在半导体基板的比外周剩余区域靠内侧的区域中半导体基板的区域的端部处的厚度大于半导体基板的区域的中央部处的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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