[发明专利]三维存储器及其制备方法、存储器系统在审
| 申请号： | 202210175223.6 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114613837A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 孔翠翠;张坤;吴林春;张中;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施方式提供了一种三维存储器及其制备方法。该三维存储器包括：半导体层；叠层结构，位于半导体层上，多个栅线缝隙结构，贯穿叠层结构；以及多个隔离部，穿过叠层结构的靠近半导体层的一部分，并分别包覆每个栅线缝隙结构的至少一部分。本申请的实施方式提供的三维存储器及其制备方法，能够降低叠层结构中的导电层之间短接漏电风险，从而提高制备完成后的三维存储器的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 系统 | ||
【主权项】：
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