[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202210166545.4 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114551663B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 223865 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种LED外延结构及其制备方法。LED外延结构包括：3D层、UGaN层、多量子阱层MQW和电子阻挡层EBL，所述多量子阱层MQW包括界面过渡层；其中，在所述3D层和所述UGaN层之间设置有第一BN结构层，在所述界面过渡层中设置有第一BGaN结构层，在所述电子阻挡层EBL中设置有第二BN结构层或者第二BGaN结构层。本申请通过在LED外延结构中插入BN结构层和BGaN结构层，利用其原子间作用力小、禁带宽度大的特点，可以有效的降低位错密度、释放应力，提升晶格质量；提高电子阻挡率和电子利用率，从而提升LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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