[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路有效
| 申请号： | 202210159453.3 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114220847B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 高英英 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有外延层；所述外延层上方依次设有第一重掺杂N+离子、P型硅、N型硅及第二重掺杂N+离子；所述P型硅中设有轻掺杂N型离子，所述N型硅中设有轻掺杂P型离子。所述LDMOSFET不需要高能量离子注入，具有工艺简单，成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmosfet 制备 方法 芯片 电路 | ||
【主权项】：
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