[发明专利]一种MOSFET器件的版图结构及MOSFET器件在审
| 申请号： | 202210159034.X | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114548016A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;钱晓霞 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区大桥*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOSFET器件的版图结构及MOSFET器件，涉及半导体技术领域，包括：至少一第一沟槽，位于器件的有源区，且第一沟槽超出有源区的边缘一预设距离；第二沟槽，位于有源区的两侧，且第二沟槽与第一沟槽平行设置。本发明摒弃了传统的带有拐角的沟槽结构，版图结构中的所有沟槽结构均平行设计，消除了器件中容易发生击穿的点，使得整个器件击穿电压基本一致，器件稳定性较佳，提高了器件雪崩耐量；同时，由于第一沟槽的端头处超出有源区外一定的预设距离，产生类似于传统功率器件的终端结构中场板的效果，使有源区边缘处也得以被保护，具有较高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 版图 结构 | ||
【主权项】：
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