[发明专利]一种MOSFET器件的版图结构及MOSFET器件在审
| 申请号： | 202210159034.X | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114548016A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;钱晓霞 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区大桥*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 版图 结构 | ||
1.一种MOSFET器件的版图结构，其特征在于，包括：
至少一第一沟槽，位于器件的有源区，且所述第一沟槽超出所述有源区的边缘一预设距离；
第二沟槽，分别位于所述有源区的两侧，且所述第二沟槽与所述第一沟槽平行设置。
2.根据权利要求1所述的MOSFET器件的版图结构，其特征在于，所述第一沟槽的两侧均超出所述有源区的边缘所述预设距离。
3.根据权利要求1或2所述的MOSFET器件的版图结构，其特征在于，所述预设距离大于等于所述第一沟槽的深度的1倍。
4.根据权利要求1所述的MOSFET器件的版图结构，其特征在于，所述第一沟槽呈条形结构。
5.根据权利要求1所述的MOSFET器件的版图结构，其特征在于，所述第二沟槽呈条形结构。
6.根据权利要求1所述的MOSFET器件的版图结构，其特征在于，所述第二沟槽与相邻的所述第一沟槽之间具有第一间距；
相邻的两个所述第一沟槽之间具有第二间距；
所述第一间距与所述第二间距相同或不相同。
7.根据权利要求1所述的MOSFET器件的版图结构，其特征在于，所述有源区位于所述版图结构的中间。
8.一种MOSFET器件，其特征在于，包括如权利要求1-7任意一项所述的MOSFET器件的版图结构。
9.根据权利要求8所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件为屏蔽栅型MOSFET器件或沟槽型MOSFET功率器件。
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