[发明专利]一种功率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210153466.X | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114388623A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 尹玉春 | 申请（专利权）人： | 上海昱率科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种功率晶体管及其制备方法，所述功率晶体管包括：半导体衬底；第一外延层，设置于所述半导体衬底之上；第二外延层，设置于所述第一外延层之上；第三外延层，设置于所述第二外延层之上；多个第一体区，从第一外延层延伸穿过第二外延层一直延伸到第三外延层中；多个第二体区，设置所述第一外延层中且位于相应的第一体区下方；多个第三体区，设置于所述元胞区和所述终端结构区内的相应所述第一体区上方；第四体区，设置于过渡区内的相应所述第一体区上方；多个元胞区沟槽，设置于元胞区内的所述第三外延层中；过渡区沟槽，设置于过渡区的所述第三外延层中；其中，在所述元胞区沟槽内形成深槽屏蔽栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海昱率科技有限公司，未经上海昱率科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210153466.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
